美国对存储芯片下手了。
8月30日，韩国媒体《亚洲经济》发表文章称，美国政府已决定撤销电子和SK海力士中国工厂的“已验证最终用户（VEU）”资格。从明年开始，两家公司每批设备发货都需要单独获得许可。
美国把豁免关掉，就是让三星、SK海力士在中国没法再用美国机器造高端芯片。根据市场追踪机构Gartner的数据，全球前五大半导体设备公司占整个市场的70%以上的设备，大多为美国制造。
这一刀下去，两家厂子不得不为每批运往中国的货物寻求美国的批准，从而造成严重的延误和效率低下，从而很可能导致减产，全球内存条价格肯定跟着跳。
美国为何盯上存储芯片？这要从存储芯片说起，存储芯片有两种，一种是NAND flash，又叫闪充，主要用在U盘、SD卡、移动硬盘上，另一类是DRAM动态随机存储，主要用在手机、电脑、服务器的内存里。
在2022年10月，美方就发布了严苛的出口管制新规，不仅规定了逻辑芯片的限制标准，还对存储芯片DRAM和NAND进行了明确限制，但这些芯片是支撑三星、SK海力士利润的核心业务，当时的制裁，导致这两家公司在中国的利润跌了90%，退出了工业皇冠的行列，其次，当时我们在生产内存存储芯片与固态硬盘上取得了实质性突破！
因此，当时老美意识到，不能再制裁下去了，而是要围绕取我们已经取得突破领域发动“价格战”与“倾销战”。
因此，在2023年10月，美国政府作出了一项决定，就是无限期豁免三星电子和SK海力士向其在华工厂提供半导体设备，无需其它许可。
那么为何原本被无限期解禁的两家公司，突然又被重新管制了呢？原因是AI芯片的竞争已经到了深水区，三星与SK海力士不仅在闷声发大财，而且已有能力卡英伟达的脖子了。
根据美国Gartne公布2024年全球半导体厂商营收10强榜，全球半导体市场规模比2023年增长18%，达到了6260亿美元，而三星凭借存储芯片与设备的价格反弹，从英特尔手里夺回第一，英特尔原地踏步，增长仅1%。英伟达排名第三，收入增长84%，排名第三，SK海力士排名第四。可以看出，AI浪潮的红利，三星吃的最多，其次是英伟达与SK海力士。
而三星一直在中国西安工厂生产 NAND 闪存，该工厂已投资260 亿美元。这些工厂占三星全球 NAND 产量的 40%。
单从存储芯片这一块来看，2025 年第二季度，韩国存储巨头 SK 海力士以 21.8 万亿韩元的销售额，首次超越长期占据榜首的三星电子，夺得全球存储市场（含 DRAM 和 NAND）销售额冠军。
不仅是销售猛增，三星SK海力士技术上也有能力卡英伟达的脖子。在芯片产业链上，如果说英伟达是写菜谱的，台积电是掌勺的，而韩国恰恰掌握着AI芯片最核心的食材，HBM内存，全称高带宽内存处理器，HBM内存就是DRAM大类里的高端细分产品，基本都用在AI领域，能满足海量的数据处理需求，是AI芯片的心脏。
而全球能量产HBM内存的，只有韩国，光三星和SK海力士就垄断了全球90%的市场，英伟达也得排队进货。在HBM领域，SK海力士比三星更厉害。不仅独占9成高端市场，一度还是英伟达御用供应商。
因此，在AI芯片竞争进入到深水区，美国意识到三星SK海力士掌握着大杀器，尤其是SK海力士的HBM内存，与其他玩家拉开了差距，2023年以来，SK海力士的HBM3的价格已经上涨5倍多，随着AI浪潮的爆发，对海量数据的运算需求越来越大，SK海力士站上了C位。
因此，当AI竞争走到今天，需要强悍的性能，普通的DDR内存满足不了速度的要求，需要HBM内存。CK海力士与三星又开始在制裁中发挥作用了。
一旦美国这个文件生效，意味着三星西安NAND工厂、SK海力士无锡DRAM工厂以及大连NAND工厂将从明年1月起，未经许可不得进口美国制造的设备，每家工厂都将接受单独的审批程序。
根据美国商务部的说法：“在允许维持现状的同时，不允许扩大生产和技术升级。”这直接把他们在中国升级扩产的路给堵死了。
目前三星西安工厂以及SK海力士无锡和大连工厂的工艺流程比韩国总部落后一到两代，关键战略产品也集中在韩国国内和美国的生产线上。尤其是用于AI服务器的高带宽存储器（HBM），尚未在中国生产。
那么美国不让三星与SK海力士升级或扩建半导体工厂，本质上它怕的就是三星与SK海力士把用于AI服务器的高带宽存储器（HBM）放到中国生产。因此，限制美国半导体设备，也能拖慢中国HBM研发上的进度，中国的生产基地可能会沦为低规格产品的固定生产基地，还能通过打压三星与SK海力士，让美国的美光从中受惠。
三星与SK海力士的销售业绩，都离不开中国市场。过去三星、SK海力士被限制之后，中国市场利润大跌，后来被解禁后，其利润营收暴涨，可以知道中国市场是这两家厂商的基本盘。
美国的战略很清楚，它怕中国AI崛起，一是不允许英伟达将先进的AI芯片卖给中国，二是锁死中国先进制程与高端存储芯片的发展，不准HBM这种存储芯片，卖给中国。
在这个过程中，韩国公司却成了夹心饼干，订单大、设备断，营收面临重大压力。
中国已在加速突围芯片半导体。接下来，中国也会整合资源，集中力量办大事，报道显示，长江存储正深化与本土工具制造商，如专门从事蚀刻设备的中微公司、专注于沉积和蚀刻设备的北方华创、沉积设备供应商拓荆科技的合作，都在加速替换外国设备。这可能提升本土公司在光刻胶、蚀刻机等领域的竞争力，甚至是成熟工艺的竞争力。
美国限制SK海力士与三星其实给我们提了一个醒，在半导体设备与存储芯片尤其是HBM内存上，中国需要抓紧进一步发力。HBM 是先进 AI 芯片的关键存储组件，约占芯片价值的一半，对 AI 模型训练和芯片封装至关重要。美国卡哪里，意味着中国需要在哪里突围。
韩国急得团团转，一边安抚企业，一边去美国求宽限。有技术没有市场，手里有货，卖不出去，那种难受可想而知。
这相当于给中国国产替代空出了市场，中国想要发展AI芯片，就必须研发出自己的高端HBM内存。HBM分好多代，HBM第一代此前已有厂商量产，但落后SK海力士、三星们两代，毕竟对方已经发展到了HBM3/HBM3e了。
这意味着，中国在这个领域要抓紧进度。根据业内人士的说法，HBM本质是一种先进封装，国产的HBM2e已有公司宣布量产，即便没量产但也近了。HBM3以及以后的，目前在先进封装与良率上还搞差点火候，这是SK海力士的核心领域，有3个挑战：DRAM颗粒、逻辑die和先进封装。
而国产的HBM供应链正在建立过程中，包括HBM Die的生产和配套的CoWoS封装，技术上要突围的是HBM 3e，这意味着国产HBM来到了由0到1的关键突破期，业内估计26年能有送样，量产爬坡得再晚一年半载的。
我们需要相信中国半导体产业的韧性，美国能制裁中国芯片的环节不多了，AI芯片的竞争已经在中场，美国以限制中国为由损害盟友商业利益，将反噬自身，并加速非美生态壮大，并推动中国HBM内存突破进入快车道，我们拭目以待。
作者：王新喜 TMT资深评论人 本文未经许可谢绝转载
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